Публікація: Технологія багатошарових структур титанату барію та стронцію з градієнтом складу
| dc.contributor.author | Куценко, І. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2026-03-03T09:12:44Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description.abstract | Об’єкт дослідження – багатошарові структури титанату барію та стронцію Мета роботи – розробка та розбір технологій багатошарових структур титанату барію та стронцію з градієнтом складу Метод – теоретичний і експериментальний. Актуальність: Сегнетоелектрики представляють собою активні діелектрики, що відіграють ключову роль у сучасному матеріалознавстві та електроніці завдяки своїм унікальним властивостям. Їхня нелінійна залежність поляризації від електричного поля, наявність спонтанної поляризації та доменної структури нижче температури Кюрі, а також високі значення діелектричної проникності роблять їх незамінними для широкого спектру застосувань. | |
| dc.identifier.citation | Куценко І. Ю. Технологія багатошарових структур титанату барію та стронцію з градієнтом складу : пояснювальна записка до кваліфікаційної роботи здобувача вищої освіти на першому (бакалаврському) рівні, спеціальність 153 «Мікро та наносистемна техніка» / І. Ю. Куценко ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2025. – 39 с. | |
| dc.identifier.uri | https://openarchive.nure.ua/handle/document/33840 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.subject | сегнетоелектрики | |
| dc.subject | градієнтна структура | |
| dc.subject | діелектрична проникність | |
| dc.subject | температурна стабільність | |
| dc.subject | тонкі плівки | |
| dc.subject | методи осадження | |
| dc.title | Технологія багатошарових структур титанату барію та стронцію з градієнтом складу | |
| dc.type | Other | |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакунок
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 2025_B_MEEPP_Kutsenko_IYu.pdf
- Розмір:
- 723.12 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Пакунок ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 10.74 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: