Публікація:
Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структур

Спрощена сторінка документа
dc.contributor.authorМельник, С. И.
dc.contributor.authorГордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.date.accessioned2016-06-22T10:35:31Z
dc.date.available2016-06-22T10:35:31Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractThe problem of microwave scanning non-destructive testing semiconductors. We show that the defects can be represented by equivalent dipole sources of the field, distributed in their volume. On the basis of a given field, analytical expressions for the generalized parameters of the defect. It is shown that to determine the parameters of both local and distributed defects, it is enough to measure the additional insertion in the aperture equivalent capacitance sensor for two values of the gap between the sensor and the surface of the semiconductor. В современных технологиях производства электронных компонентов возникает потребность в измерении пространственного распределения электрофизических свойств полупроводниковых материалов и структур. В последнее время в связи с миниатюризацией электронных компонентов и устройств особые требования предъявляются как к точности измерения, так и к пространственной разрешающей способности контроля.uk_UA
dc.identifier.citationМельник, С. И. Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структур / С. И. Мельник, Ю. Е. Гордиенко, Н. И. Слипченко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 99-102.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/1110
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectполупроводниковые материалыuk_UA
dc.subjectпространственное разрешениеuk_UA
dc.subjectкоаксиальный резонаторuk_UA
dc.subjectмикроволновая сканирующая дефектометрияuk_UA
dc.titleВозможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структурuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
1(99-102).doc
Розмір:
219 KB
Формат:
Microsoft Word
Завантажити
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

3 Международная научная конференция "Функциональная компонентная база микро-,опто- и наноэлектроники. Харьков-Кацивели 2010