Вычисление спектров усиления полупроводниковой структуры с одиночной квантовой ямой

Abstract

Предлагается метод вычисления спектров усиления полупроводниковой структуры с одиночной квантовой ямой. Вычисления оптических характеристик основаны на «Золотом правиле Ферми», для приложения которого дисперсионные законы носителей заряда должны быть известны. Зонная структура носителей заряда вычисляется с помощью kp-метода в приближении огибающей с использованием комбинации метода матриц переноса и метода Галеркина.