Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией

Abstract

Разработан метод измерения диаметра слитка GaAs, выращиваемого по методу с жидкостной герметизацией, который основан на измерении веса слитка, учитывающий погрешности канала измерения веса и погрешности преобразования. Разработано устройство, реализующее данный метод. Достигнутая абсолютная погрешность измерения для слитков диаметром 100 мм составила ± 1,5 мм. A method for measuring the diameter of an ingot of GaAs grown by LEC method based on measuring the weight of the ingot taking into account the errors of a weight measurement channel and conversion errors is developed. A device is developed which implements the method.The achieved absolute error of measurement for ingots of a 100 mm diameter has constituted ± 1,5 mm.