Радиационные эффекты в ближнеполевой микроволновой микроскопии полупроводников

Гордиенко, Ю. Е.; Ларкин, С. Ю.; Сорок, A. C.

Публікація:
Радиационные эффекты в ближнеполевой микроволновой микроскопии полупроводников

dc.contributor.author	Гордиенко, Ю. Е.
dc.contributor.author	Ларкин, С. Ю.
dc.contributor.author	Сорок, A. C.
dc.date.accessioned	2021-04-07T14:56:02Z
dc.date.available	2021-04-07T14:56:02Z
dc.date.issued	2011
dc.description.abstract	Цель работы - обоснование научного подхода к построению адекватной численной электродинамической модели резонаторных сенсоров с коаксиальной апертурой наиболее перспективных для микроволновой микроскопии полупроводников и выявление возможных источников систематической погрешности ближнеполевых измерений	uk_UA
dc.identifier.citation	Гордиенко Ю. Е. Радиационные эффекты в ближнеполевой микроволновой микроскопии полупроводников / Ю. Е. Гордиенко, С. Ю. Ларкин, A. C. Сорока // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2011. – Вып. 164. – С. 180–189.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/15370
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.title	Радиационные эффекты в ближнеполевой микроволновой микроскопии полупроводников	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication