Исследование фотокинетических явлений в полупроводниках на СВЧ

Abstract

В статье рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. В работе исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. При этом показано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.