Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ

Асанов, Э. Э.; Зуев, С. А.; Килесса, Г. В.; Слипченко, Н. И.

Публікація:
Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ

dc.contributor.author	Асанов, Э. Э.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Килесса, Г. В.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.date.accessioned	2016-05-26T14:17:01Z
dc.date.available	2016-05-26T14:17:01Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	В работе представлены основные теоретические положения, на основе которых построена реализация численной модели ПТШ на GaAs, проведены исследования характеристик ПТШ. Для увеличения производительности модели отдельные этапы вычисления проводились на GPU с использованием технологии NVIDIA CUDA. The basic theoretical provisions on the basis of which the Schottky GaAs FET numerical model has been constructed are presented. The researches of Schottky FET characteristics are carried out. To increase the productivity of the model separate calculation stages have been carried out on GPU with NVIDIA CUDA technology use.	uk_UA
dc.identifier.citation	Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ / Э. Э. Асанов, С. А. Зуев и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 431–434.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/213
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	полевой транзистор с затвором Шоттки	uk_UA
dc.subject	моделирование методом макрочастиц	uk_UA
dc.subject	параллельные вычисления на базе CUDA	uk_UA
dc.subject	field-effect transistor with Schottky gate	uk_UA
dc.subject	modelling by macroparticles method	uk_UA
dc.subject	parallel calculations on the basis of CUDA	uk_UA
dc.title	Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication