Численное решение стационарных квантовомеханических скоростных уравнений для полупроводниковых инжекционных лазеров в приближении эффективной массы

Abstract

Как известно, в первых полупроводниковых лазерах на основе гомоструктур пороговая плотность тока быстро увеличивалась с ростом температуры. Это создавало серьезные трудности при реализации режима непрерывной генерации при температуре 300 К и выше, а также для получения высокоскоростной модуляции как малым, так и большим сигналом. Для определения порога генерации и характеристик полупроводникового лазера в большинстве случаев в качестве теоретической модели применяются классические скоростные уравнения, которые оказались наиболее эффективными.