Локализация носителей в многослойных наноструктурах, обусловленная интерференционной передислокацией волновых функций

Пащенко, А. Г.; Ванцан, В. М.

Публікація:
Локализация носителей в многослойных наноструктурах, обусловленная интерференционной передислокацией волновых функций

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.contributor.author	Ванцан, В. М.
dc.date.accessioned	2021-04-07T14:55:29Z
dc.date.available	2021-04-07T14:55:29Z
dc.date.issued	2011
dc.description.abstract	В современной микроэлектронике и наноэлектронике исследуется большое количество различных приборов с наноструктурами и сверхрешетками. По типу приборы могут принадлежать к различным частотным диапазонам и мощности, а по области применения к пассивным. усилительным и генераторным. При этом каждый тип приборов использует свои разновидности наноструктур. Использование того или иного вида наноструктуры или сверхрешетки в качестве активной области полупроводникового прибора зависит от типа прибора й его параметров, которые предполагается достигнуть применением наноструктуры. Так же как и в обычных полупроводниковых приборах, в приборах наноэлектроники основную роль в функционировании играют потоки заряженных частиц, зарядовые пакеты частиц различных типов и концентраций.	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Локализация носителей в многослойных наноструктурах, обусловленная интерференционной передислокацией волновых функций / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2011. – Вып. 164. – С. 133–138.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/15365
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	современная микроэлектроника	uk_UA
dc.title	Локализация носителей в многослойных наноструктурах, обусловленная интерференционной передислокацией волновых функций	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication