Публікація: Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели
| dc.contributor.author | Галат, А. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2018-04-03T12:15:15Z | |
| dc.date.available | 2018-04-03T12:15:15Z | |
| dc.date.issued | 2015 | |
| dc.description.abstract | Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоев перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователя | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Галат А. Б. Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели / А. Б. Галат // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2015. – Вып. 180. – С. 19 – 24. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/4573 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
| dc.subject | вольтамперная характеристика | uk_UA |
| dc.subject | фотопреобразователь | uk_UA |
| dc.subject | гетеропереход (p)-a-Si:H/(n)-c-Si | uk_UA |
| dc.title | Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакунок
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- Galat_19-24.PDF
- Розмір:
- 362.04 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Пакунок ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: