Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели

Галат, А. Б.

Публікація:
Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели

dc.contributor.author	Галат, А. Б.
dc.date.accessioned	2018-04-03T12:15:15Z
dc.date.available	2018-04-03T12:15:15Z
dc.date.issued	2015
dc.description.abstract	Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоев перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователя	uk_UA
dc.identifier.citation	Галат А. Б. Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели / А. Б. Галат // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2015. – Вып. 180. – С. 19 – 24.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/4573
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	вольтамперная характеристика	uk_UA
dc.subject	фотопреобразователь	uk_UA
dc.subject	гетеропереход (p)-a-Si:H/(n)-c-Si	uk_UA
dc.title	Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication