Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики

Яцун, К. С.

Публікація:
Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики

dc.contributor.author	Яцун, К. С.
dc.date.accessioned	2023-06-10T17:09:09Z
dc.date.available	2023-06-10T17:09:09Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	У статті запропоновано дослідження впливу структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики. Розкрито та проілюстровано основну конфігурацію резо-нансно-тунельного діода, яка являє собою структуру квантової ями з подвійним бар'єром нанометрових розмі-рів, що включає два контакти, та області з сильно легованими контактами, виготовленими з напівпровідника з відносно малою забороненою зоною. Наголошено, що оскільки характерні розміри структури квантової ями з подвійним бар'єром порівняні з довжинами хвиль електронів, хвильова природа електронів призводить до таких квантових явищ, як інтерференція, тунелювання, квантування енергії тощо та зазначається, що в результаті за-значеного явища в структурах квантової ями з подвійним бар'єром виникають резонансні явища тунелювання, які утворюють основу для роботи резонансно-тунельного діода. Підкреслено, що багаторазове відображення викликає деструктивні або конструктивні перешкоди залежно від довжини хвилі конкретного електрона. Для електронів із певною довжиною хвилі, що сприяє конструктивній інтерференції, ймовірність передачі, близька до одиниці, може бути знайдена при енергіях, що відповідають цим довжинам хвиль. Математично обґрунтова-но модифікацію активної області резонансно-тунельного діода з висотою бар’єра 0,3 – 0,4 еВ. Залежність кое-фіцієнта проходження знаходимо шляхом вирішення рівняння Шредінгера у одно електронному наближенні без урахування ефектів розсіяння. Розрахунок вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діода здійснено при температурах у 100 та 300 К. Наведені вольт-амперні характеристики отримані без врахування ефектів розсіяння електронів. Однак варто відмітити, що головним впливовим фактором є резонансне тунелю-вання через другий рівень, для якого пік коефіцієнта проходження значно ширше та вище. Проте у легованому арсеніді галію факт розсіяння електронів може суттєво надавати вплив на значення коефіцієнта проходження та значення струму. Встановлено, що збільшення ширини квантових ям призводить до істотного зменшення щіль-ностей пікових струмів і струмів долини, а збільшення ширини потенційних бар'єрів призводить до незначного зменшення щільності струму першого піку, а також збільшення щільностей струмів другого піку і долини.
dc.identifier.citation	Яцун К. С. Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики / К. С. Яцун // Радіотехніка : Всеукр. міжвід. наук.-техн. зб. – Харьків, 2022. – Вип. 208. – С. 65–71.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/23313
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	резонансно-тунельний діод
dc.subject	вольт-амперна характеристика
dc.subject	тунелювання
dc.subject	квантова яма
dc.title	Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики
dc.type	Article
dspace.entity.type	Publication