Публікація: Динамика электротепловых процессов в диэлектрических структурах микросхем при воздействии электромагнитных полей
dc.contributor.author | Старостенко, В. В. | |
dc.contributor.author | Грибский, М. П. | |
dc.contributor.author | Полетаев, Д. А. | |
dc.contributor.author | Таран, Е. П. | |
dc.contributor.author | Чурюмов, Г. И. | |
dc.date.accessioned | 2021-07-06T11:04:15Z | |
dc.date.available | 2021-07-06T11:04:15Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description.abstract | Строится численная модель развития электротепловых процессов в проводящих и диэлектрических микроструктурных элементах микросхем при воздействии СВЧ электромагнитных полей с учетом тепловых потерь в диэлектрических структурах. Описываются выражения для удельной мощности тепловых потерь в диэлектрических структурах микросхем. Выявляется динамика изменения температурного поля кристалла микросхемы с учетом неравномерного разогрева металлизации и диэлектрических участков. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Динамика электротепловых процессов в диэлектрических структурах микросхем при воздействии электромагнитных полей / В. В. Старостенко, М. П. Грибский, Д. А. Полетаев, Е. П. Таран, Г. И. Чурюмов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2007. – Вып. 2. – С. 45–49. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://openarchive.nure.ua/handle/document/16914 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
dc.subject | модель развития электротепловых процессов | uk_UA |
dc.subject | радиоэлектроника | uk_UA |
dc.title | Динамика электротепловых процессов в диэлектрических структурах микросхем при воздействии электромагнитных полей | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- RI_2007_2_45-49.pdf
- Розмір:
- 732.83 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: