Флеш-память на основе квантовых точек

Публікація:
Флеш-память на основе квантовых точек

dc.contributor.author	Слабый, К. Г.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2018-03-23T14:38:32Z
dc.date.available	2018-03-23T14:38:32Z
dc.date.issued	2016
dc.description.abstract	Рассмотрена ячейка памяти на основе многослойной несимметричной квантово-размерной структуры – GaAs/Alx1Ga1-x1As/Alx2Ga1-x2As. Исследованы особенности локализации волновых функций носителей в такой структуре в цикле записи – считывания в зависимости от величины напряженности внешнего электрического поля, с учетом параметров структуры.	uk_UA
dc.identifier.citation	Слабый К. Г. Флеш-память на основе квантовых точек / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып.185. – С.37 – 44.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/4400
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	ячейка памяти	uk_UA
dc.subject	многослойная структура	uk_UA
dc.subject	волновая функция	uk_UA
dc.title	Флеш-память на основе квантовых точек	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication