Публікація:
Туннелирование в полупроводниковых оптических усилителях на основе асимметричных многослойных квантово-размерных структур

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2004

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

Использование асимметричных многослойных квантово-размерных структур в качестве усиливающей среды позволяет получить спектр усиления заданной ширины с максимально плоским плато спектральной характеристики. Неравномерное распределение носителей в таких структурах может стать причиной деформации спектра усиления. В данной работе проводится анализ влияния туннельного переноса носителей на спектр усиления. Полученные результаты указывают на необходимость учета туннельного взаимодействия соседних квантовых ям. Выполненный анализ структур на основе InGaAsP показав, что искажений спектра усиления в таких структурах следует ожидать при толщинах барьерных слоев менее 8 нм. В этом случае принцип суперпозиции может давать неадекватные результаты при расчете спектров усиления многослойных квантоворазмерных гетероструктур.

Опис

Ключові слова

радиотехника, усиливающая среда

Бібліографічний опис

Шулика А. В. Туннелирование в полупроводниковых оптических усилителях на основе асимметричных многослойных квантово-размерных структур / А. В. Шулика, И. А. Сухоиванов, В. В. Лысак // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2004. – Вып. 137. – С. 164–171.

DOI

Колекції