Публікація:
Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний

Немає доступних мініатюр

Дата

2010

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

n this paper the results of numerical researches of carrier’s transitions processes in structures on the heterojunction amorphous - monocrystalline silicon are presented and analyzed. В настоящее время большое внимание уделяется способам получения энергии, поступающей от Солнца, путем фотопреобразования. Существенным фактором, ограничивающим возможности получения энергии данного типа, является высокая стоимость технологического процесса и экологическая проблема при производстве преобразователей с высокой эффективностью фотопреобразования.

Опис

Ключові слова

фотопреобразование, монокристаллический кремний

Бібліографічний опис

Быков, М .А. Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 245-247

DOI