Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия

Abstract

В работе рассмотрен вопрос о возникновении фотогальванического эффекта (ФГЭ) при примесь-зонном возбуждении электронов. Целью работы является исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки. Рассмотрены явления переноса заряда в электрическом поле и решена задача переноса электрического заряда на основании квантового кинетического уравнения (ККУ) по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрены квадратичные поправки к закону Ома. Для возникновения асимметрии при межзонных переходах учитывается взаимодействие с третьим телом. Это уменьшает величину ФГЭ. Однако существует еще одна возможность увеличения ФГЭ – учет взаимодействия между электроном и дыркой.