Локализация частиц в двухслойной нанаоструктуре на основе GaAs/AIxGa1-xAs

Пащенко, А. Г.; Ванцан, В. М.

Публікація:
Локализация частиц в двухслойной нанаоструктуре на основе GaAs/AIxGa1-xAs

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.contributor.author	Ванцан, В. М.
dc.date.accessioned	2021-05-03T09:08:32Z
dc.date.available	2021-05-03T09:08:32Z
dc.date.issued	2004
dc.description.abstract	Рассмотрены результаты численного эксперимента по моделированию энергетического спектра частиц и квазичастиц в двухслойной квантово-размерной структуре на основе GaAs/AlxGai„xAs. В работе также исследовано влияние внешнего постоянного во времени электрического поля на собственные функции частиц и квазичастиц в двухслойной квантово-размерной структуре	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Локализация частиц в двухслойной нанаоструктуре на основе GaAs/AIxGa1-xAs / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2004. – Вып. 137. – С. 153–156.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/15801
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	энергетический спектр частиц и квазичастиц	uk_UA
dc.title	Локализация частиц в двухслойной нанаоструктуре на основе GaAs/AIxGa1-xAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication