Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц

Асанов, Э. Э.; Килесса, Г. В.; Зуев, С. А.; Слипченко, Н. И.

Публікація:
Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц

dc.contributor.author	Асанов, Э. Э.
dc.contributor.author	Килесса, Г. В.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.date.accessioned	2016-07-14T08:10:41Z
dc.date.available	2016-07-14T08:10:41Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.	uk_UA
dc.identifier.citation	Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/1534
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Вебер	uk_UA
dc.subject	контакт металл-полупроводник	uk_UA
dc.subject	омический контакт	uk_UA
dc.subject	субмикронные полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.subject	полевые транзисторы с затвором Шоттки	uk_UA
dc.title	Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц	uk_UA
dc.type	Conference proceedings	uk_UA
dspace.entity.type	Publication