Публікація: Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц
| dc.contributor.author | Асанов, Э. Э. | |
| dc.contributor.author | Килесса, Г. В. | |
| dc.contributor.author | Зуев, С. А. | |
| dc.contributor.author | Слипченко, Н. И. | |
| dc.date.accessioned | 2016-07-14T08:10:41Z | |
| dc.date.available | 2016-07-14T08:10:41Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/1534 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Вебер | uk_UA |
| dc.subject | контакт металл-полупроводник | uk_UA |
| dc.subject | омический контакт | uk_UA |
| dc.subject | субмикронные полупроводниковые приборы | uk_UA |
| dc.subject | полевые транзисторы с затвором Шоттки | uk_UA |
| dc.title | Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц | uk_UA |
| dc.type | Conference proceedings | uk_UA |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакунок
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 155_156.pdf
- Розмір:
- 480.16 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Пакунок ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: