Публікація:
Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц

dc.contributor.authorАсанов, Э. Э.
dc.contributor.authorКилесса, Г. В.
dc.contributor.authorЗуев, С. А.
dc.contributor.authorСлипченко, Н. И.
dc.date.accessioned2016-07-14T08:10:41Z
dc.date.available2016-07-14T08:10:41Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractВ работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.uk_UA
dc.identifier.citationАсанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/1534
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherВеберuk_UA
dc.subjectконтакт металл-полупроводникuk_UA
dc.subjectомический контактuk_UA
dc.subjectсубмикронные полупроводниковые приборыuk_UA
dc.subjectполевые транзисторы с затвором Шотткиuk_UA
dc.titleМодель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частицuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
155_156.pdf
Розмір:
480.16 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: