Численная модель контакта металл-полупроводник

Публікація:
Численная модель контакта металл-полупроводник

dc.contributor.author	Асанов, Э. Э.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Килесса, Г. В.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.date.accessioned	2020-11-06T21:53:43Z
dc.date.available	2020-11-06T21:53:43Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	Представлены основные теоретические положения, на основе которых с использованием метода крупных частиц построена численная модель омического контакта металл-проводник и контакта с барьером Шоттки.	uk_UA
dc.identifier.citation	Численная модель контакта металл-полупроводник / Э. Э. Асанов, С. А. Зуев, Г. В. Килесса, Н. И. Слипченко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2012. – Вып. 170. – С. 32–40.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/13762
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	метод крупных частиц	uk_UA
dc.subject	омический контакт металл-проводник	uk_UA
dc.title	Численная модель контакта металл-полупроводник	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication