Формирование энергетического спектра многослойной симметричной квантоворазмерной структуры на основе GaAs/AlxlGal xlAs/Alx2Gal x2As. Часть 2. Анализ результатов

Пащенко, А. Г.; Ванцан, В. М.

Публікація:
Формирование энергетического спектра многослойной симметричной квантоворазмерной структуры на основе GaAs/AlxlGal xlAs/Alx2Gal x2As. Часть 2. Анализ результатов

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.contributor.author	Ванцан, В. М.
dc.date.accessioned	2021-06-27T17:17:47Z
dc.date.available	2021-06-27T17:17:47Z
dc.date.issued	2002
dc.description.abstract	Рассмотрены результаты квантово-механического моделирования энергетического спектра частиц в трёхслойной симметричной квантоворазмерной структуре. Показана преимущественная локализация носителей в центральной части структуры как в стационарном состоянии, так и под действием внешнего постоянного электрического поля	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Формирование энергетического спектра многослойной симметричной квантоворазмерной структуры на основе GaAs/AlxlGal xlAs/Alx2Gal x2As. Часть 2. Анализ результатов / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2002. – Вып. 127. – С. 112–117.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/16703
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	квантово-механическое моделирование	uk_UA
dc.title	Формирование энергетического спектра многослойной симметричной квантоворазмерной структуры на основе GaAs/AlxlGal xlAs/Alx2Gal x2As. Часть 2. Анализ результатов	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication