Publication: Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку
| dc.contributor.author | Гусев, В. А. | |
| dc.contributor.author | Капранов, И. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2016-06-22T10:47:55Z | |
| dc.date.available | 2016-06-22T10:47:55Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Проводится анализ работы биполярного транзисторного ключа при работе с индуктивной нагрузкой. Рассматривается эффект вторичного пробоя в структуре транзистора. Определяются опасные режимы выключения биполярного транзистора с указанием рекомендаций по выключению транзистора с индуктивной нагрузкой. Разрабатывается мaкет для проведения неразрушающей отбраковки транзисторов при работе на индуктивную нагрузку. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Гусев, В. А. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку / В. А. Гусев , И. Ю. Капранов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : Изд-во ХНУРЭ, 2010. – Вып. 3. – С. 14-18. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/1113 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
| dc.subject | биполярный транзисторный ключ | uk_UA |
| dc.subject | индуктивная нагрузка | uk_UA |
| dc.title | Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dspace.entity.type | Publication |