Определение концентрации свободных носителей в полупроводниках посредством эфффекта фотонного давления

Ашанин, В. С.; Малофей, О. П.; Степанов, А. А.; Тупкало, В. Н.

Публікація:
Определение концентрации свободных носителей в полупроводниках посредством эфффекта фотонного давления

dc.contributor.author	Ашанин, В. С.
dc.contributor.author	Малофей, О. П.
dc.contributor.author	Степанов, А. А.
dc.contributor.author	Тупкало, В. Н.
dc.date.accessioned	2022-04-04T18:20:20Z
dc.date.available	2022-04-04T18:20:20Z
dc.date.issued	1990
dc.description.abstract	В данной работе рассматривается экспериментальная апробация нового бесконтактного метода измерения концентрации свободных носителей тока в собственных полупроводниках с использованием явления фотонного давления	uk_UA
dc.identifier.citation	Определение концентрации свободных носителей в полупроводниках посредством эфффекта фотонного давления / В. С. Ашанин, О. П. Малофей, А. А. Степанов, В. Н. Тупкало // Радиотехника : респ. межведомств. науч.-техн. сб. – 1990. – Вып. 95. – С. 136–138.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/20111
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Основа	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	измерение концентрации свободных носителей тока	uk_UA
dc.title	Определение концентрации свободных носителей в полупроводниках посредством эфффекта фотонного давления	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication