Определение зависимости характеристик фотонной запрещенной зоны от показателя преломления материала

Филипенко, А. И.; Донсков, А. Н.

Публікація:
Определение зависимости характеристик фотонной запрещенной зоны от показателя преломления материала

dc.contributor.author	Филипенко, А. И.
dc.contributor.author	Донсков, А. Н.
dc.date.accessioned	2018-03-19T09:43:55Z
dc.date.available	2018-03-19T09:43:55Z
dc.date.issued	2017
dc.description.abstract	Рассмотрено распространение электромагнитных волн в фотонном кристалле, изготовленном из GaAs. Рассмотрено распространение поперечной составляющей электромагнитного излучения (ТЕволны) в диапазоне длин волн от 0,2 до 2 мкм. Определена зависимость характеристик фотонной запрещенной зоны от показателя преломления используемого материал.	uk_UA
dc.identifier.citation	Филипенко А. И. Определение зависимости характеристик фотонной запрещенной зоны от показателя преломления материала / А. И. Филипенко, А. Н. Донсков // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.- техн. сб. – 2017. – Вып. 189. – С. 166 – 171.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/4339
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	фотонный кристалл	uk_UA
dc.subject	электромагнитное излучение	uk_UA
dc.subject	фотонная запрещенная зона	uk_UA
dc.title	Определение зависимости характеристик фотонной запрещенной зоны от показателя преломления материала	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication