Мета роботи – визначити як конструктивні параметри буферних шарів активної області впливають на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання процесу тунелювання носіїв електричного струму крізь активну область резонансно-тунельного діоду, за допомогою розв′язання стаціонарного рівняння Шредінгера. В результаті розгляду процесу тунелювання крізь резонансно-тунельну структуру визначено вплив товщини буферних шарів на співвідношення струму і напруги піка і струму і напруги долини N-подібної ділянки вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду.