Международная научная конференция "Функциональная база наноэлектроники" Харьков-Кацивели 2011-2012
Постійний URI для цієї колекції
Перегляд
Перегляд Международная научная конференция "Функциональная база наноэлектроники" Харьков-Кацивели 2011-2012 за автором "Гордиенко, Ю. Е."
Зараз показано 1 - 4 з 4
Результатів на сторінку
Варіанти сортування
Публікація Алгоритм трехмерной реконструкции электрофизических свойств в микроволновой сканирующей микроскопии(ХНУРЭ, 2011) Гордиенко, Ю. Е.; Ларкин, С. Ю.; Мельник, С. И.; Слипченко, Н. И.The microwave tomography method is proposed, based on the separation of the reconstruction algorithm of scan results into three independent phase and layered reconstruction required distributions. Generalisation of 3-d reconstruction algorithm in case. Методы сканирующей зондовой микроскопии уже давно стали одним из основных средств исследований микро и наноструктур в различных областях науки и техники. Одним из таких методов является микроволновая сканирующая микроскопия (МСМ). К настоящему времени разработаны как различные микроволновые приставки к атомно-силовому микроскопу, так и серийный микроволновой микроскоп. В настоящей работе мы обобщим полученный нами ранее алоритм реконструкции распределения электрофизических свойств в методе МСМ на трехмерную задачу.Публікація Вопросы обработки первичных данных при ближнеполевой микроволновой микроскопии полупроводников(ХНУРЭ, 2011) Гордиенко, Ю. Е.; Ларкин, С. Ю.; Сорока, А. С.e-mail: mepu@kture.kharkov.ua In the report the analysis of the basic problems of processing of the primary measuring information in scanning microwave near field microscopy of semiconductors is presented and features of construction of radio images of samples are considered. Цель данной работы: анализ основных проблем обработки первичной изме-рительной информации в ближнеполевой сканирующей микроскопии полупроводников и выработка эффективных алгоритмов получения изображений образцов.Публікація Локальная СВЧ модификация материалов и структур микро- и наноэлектроники(ХНУРЭ, 2012) Гордиенко, Ю. Е.; Мельник, С. И.; Слипченко, Н. И.A preliminary analysis of the possibilities of thermal effects on semiconductors and semiconductor films local microwave field shows that the existing models and experimental results provide enough information about the possibilities of modifying the properties of semiconductors as a result of heating, but do not take into account the specific locality of microwave heating in the micro and nano-meter scale. The approximate analytical model of heat, allowing to obtain estimates of the results and to optimize the design of probes. Based on the finite element method developed a numerical model that allows to explore different probe design, facilities and heating conditions in a wide range. The possibility of its work are illustrated by blow-up regime, which allows localized heating zone in the region, significantly less than the initial half-width of the distribution of the microwave field.Публікація Роль зазора между зондом и объектом в сканирующей микроволновой микроскопии(ХНУРЭ, 2012) Гордиенко, Ю. Е.; Ларкин, С. Ю.; Чхотуа, М. С. Е.