Публікація:
Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2008

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

В работе приводятся и анализируются результаты численных исследований процессов токопереноса в структурах на основе гетероперехода аморфный — кристаллический кремний. Results of computational investigation of charge transport processes are adduced and parsed in the structures on the basis of heterogeneous junction amorphous — crystalline silicon.

Опис

Ключові слова

Бібліографічний опис

Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si / М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко, Д. А. Унжаков // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2008. – Т. 7, № 1 – С. 71–76.

DOI