Публікація: Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si
Завантаження...
Дата
2008
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
В работе приводятся и анализируются результаты численных исследований процессов токопереноса в структурах на основе гетероперехода аморфный — кристаллический кремний.
Results of computational investigation of charge transport processes are adduced and parsed in the structures on the basis of heterogeneous junction amorphous — crystalline silicon.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si / М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко, Д. А. Унжаков // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2008. – Т. 7, № 1 – С. 71–76.