Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/5865
Title: Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si
Authors: Быков, М. А.
Быков, А. М.
Зуев, С. А.
Мазинов, А. С.
Слипченко, Н. И.
Унжако, Д. А.
Issue Date: 2008
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si / М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко, Д. А. Унжаков // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2008. – Т. 7, № 1 – С. 71–76.
Abstract: В работе приводятся и анализируются результаты численных исследований процессов токопереноса в структурах на основе гетероперехода аморфный — кристаллический кремний. Results of computational investigation of charge transport processes are adduced and parsed in the structures on the basis of heterogeneous junction amorphous — crystalline silicon.
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/5865
Appears in Collections:Прикладная радиоэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Prikladnaja_radioelektronika_2008-1-71-76.pdf414.32 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.