Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si

Быков, М. А.; Быков, А. М.; Зуев, С. А.; Мазинов, А. С.; Слипченко, Н. И.; Унжаков, Д. А.

Публікація:
Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si

dc.contributor.author	Быков, М. А.
dc.contributor.author	Быков, А. М.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Мазинов, А. С.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.contributor.author	Унжаков, Д. А.
dc.date.accessioned	2018-06-06T12:09:55Z
dc.date.available	2018-06-06T12:09:55Z
dc.date.issued	2008
dc.description.abstract	В работе приводятся и анализируются результаты численных исследований процессов токопереноса в структурах на основе гетероперехода аморфный — кристаллический кремний. Results of computational investigation of charge transport processes are adduced and parsed in the structures on the basis of heterogeneous junction amorphous — crystalline silicon.	uk_UA
dc.identifier.citation	Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si / М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко, Д. А. Унжаков // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2008. – Т. 7, № 1 – С. 71–76.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/5865
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.title	Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication