Публікація:
Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией

Завантаження...
Зображення мініатюри

Файли

Дата

2012

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

Разработан метод измерения диаметра слитка GaAs, выращиваемого по методу с жидкостной герметизацией, который основан на измерении веса слитка, учитывающий погрешности канала измерения веса и погрешности преобразования. Разработано устройство, реализующее данный метод. Достигнутая абсолютная погрешность измерения для слитков диаметром 100 мм составила ± 1,5 мм. A method for measuring the diameter of an ingot of GaAs grown by LEC method based on measuring the weight of the ingot taking into account the errors of a weight measurement channel and conversion errors is developed. A device is developed which implements the method.The achieved absolute error of measurement for ingots of a 100 mm diameter has constituted ± 1,5 mm.

Опис

Ключові слова

метод Чохральского с жидкостной герметизацией, арсенид галлия, измерение диаметра, Liquid Encapsulated Czochralski, GaAs, diameter measurement

Бібліографічний опис

Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, В. Р. Петренко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 54–62.

DOI