Publication: Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку
Loading...
Date
2010
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
ХНУРЭ
Abstract
Проводится анализ работы биполярного транзисторного ключа при работе с индуктивной нагрузкой. Рассматривается эффект вторичного пробоя в структуре транзистора. Определяются опасные режимы выключения биполярного транзистора с указанием рекомендаций по выключению транзистора с индуктивной нагрузкой. Разрабатывается мaкет для проведения неразрушающей отбраковки транзисторов при работе на индуктивную нагрузку.
Description
Keywords
биполярный транзисторный ключ, индуктивная нагрузка
Citation
Гусев, В. А. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку / В. А. Гусев , И. Ю. Капранов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : Изд-во ХНУРЭ, 2010. – Вып. 3. – С. 14-18.