Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку

Гусев, В. А.; Капранов, И. Ю.

Публікація:
Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку

dc.contributor.author	Гусев, В. А.
dc.contributor.author	Капранов, И. Ю.
dc.date.accessioned	2016-06-22T10:47:55Z
dc.date.available	2016-06-22T10:47:55Z
dc.date.issued	2010
dc.description.abstract	Проводится анализ работы биполярного транзисторного ключа при работе с индуктивной нагрузкой. Рассматривается эффект вторичного пробоя в структуре транзистора. Определяются опасные режимы выключения биполярного транзистора с указанием рекомендаций по выключению транзистора с индуктивной нагрузкой. Разрабатывается мaкет для проведения неразрушающей отбраковки транзисторов при работе на индуктивную нагрузку.	uk_UA
dc.identifier.citation	Гусев, В. А. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку / В. А. Гусев , И. Ю. Капранов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : Изд-во ХНУРЭ, 2010. – Вып. 3. – С. 14-18.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/1113
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	биполярный транзисторный ключ	uk_UA
dc.subject	индуктивная нагрузка	uk_UA
dc.title	Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication