Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Численная модель барьера Шоттки
Authors: Асанов, Э. Э.
Зуев, С. А.
Килесса, Г. В.
Слипченко, Н. И.
Старостенко, В. В.
Keywords: контакт металл-полупроводник
барьер Шоттки
моделирование методом макрочастиц
metal-semiconductor contact
modeling by macroparticle method
Issue Date: 2012
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Численная модель барьера Шоттки / Э. Э. Асанов и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 378–383.
Abstract: В работе представлено описание численной модели выпрямляющего контакта металл - полупроводник. Для верификации разработанной модели был проведен ряд вычислительных экспериментов, в ходе которых получены результаты, в частности вольтамперная характеристика, свидетельствующие о достоверной работе модели. The paper presents a description of the numerical model of a rectifying metal-semiconductor contact. To verify the model developed a number of computing experiments have been conducted and results have been obtained, the current-voltage characteristic, in particular, which are evidence of the authentic operation of the model.
Appears in Collections:Прикладная радиоэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
13.pdf1.82 MBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.