Численная модель барьера Шоттки

Асанов, Э. Э.; Зуев, С. А.; Килесса, Г. В.; Слипченко, Н. И.; Старостенко, В. В.

Публікація:
Численная модель барьера Шоттки

dc.contributor.author	Асанов, Э. Э.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Килесса, Г. В.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.contributor.author	Старостенко, В. В.
dc.date.accessioned	2016-06-16T12:23:45Z
dc.date.available	2016-06-16T12:23:45Z
dc.date.issued	2012
dc.description.abstract	В работе представлено описание численной модели выпрямляющего контакта металл - полупроводник. Для верификации разработанной модели был проведен ряд вычислительных экспериментов, в ходе которых получены результаты, в частности вольтамперная характеристика, свидетельствующие о достоверной работе модели. The paper presents a description of the numerical model of a rectifying metal-semiconductor contact. To verify the model developed a number of computing experiments have been conducted and results have been obtained, the current-voltage characteristic, in particular, which are evidence of the authentic operation of the model.	uk_UA
dc.identifier.citation	Численная модель барьера Шоттки / Э. Э. Асанов и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 378–383.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/1006
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	контакт металл-полупроводник	uk_UA
dc.subject	барьер Шоттки	uk_UA
dc.subject	моделирование методом макрочастиц	uk_UA
dc.subject	metal-semiconductor contact	uk_UA
dc.subject	modeling by macroparticle method	uk_UA
dc.title	Численная модель барьера Шоттки	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication