Публікація: Фотогальванический эффект в системах с пространственным ограничениями
Завантаження...
Дата
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Анотація
Исследуется фотогальванический эффект в GaAs при оптических переходах между спиновыми зонами
уровней Ландау для ультраквантового предела. Рассматривается геометрия, когда поляризация перпендикулярна, а ток направлен вдоль магнитного поля. Эффект обуславливается кубическими членами в гамильтониане, существующими из-за отсутствия центра инверсии.
Опис
Ключові слова
фотогальванический эффект, оптические переходы, спиновые зоны, ультраквантовый предел, поляризация, электрическое поле, резонанс, photovoltaic effect, optical transitions, spins zones, ultra quantum limit, polarization, electric field, resonance
Цитування
Фотогальванический эффект в системах с пространственным ограничениями / Чернышов И.И., Слипченко Н. И., Небрат В.В., Петулько М.С., Алкхавалдеч М.А.Ф. // Радиоэлектроника и информатика : научно-технический журнал / М-во образования и науки Украины ХНУРЭ. – Харьков, 2018. – № 3. С.13--17