Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/903
Title: Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области
Authors: Оксанич, А. П.
Седин, Е. А.
Keywords: пиролиз
концентрация примеси
диффузия
силан
пониженное давление
pyrolysis
impurity concentration
diffusion
silane
reduced pressure
Issue Date: 2012
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Оксанич, А. П. Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области / А. П. Оксанич, Е. А. Седин // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 100–103.
Abstract: Разработан метод и установка получения кремниевых эпитаксиальных слоёв на сильно легированных подложках с резким концентрационным переходом вблизи границы слой-подложка. Показано, что при проведении пиролиза в аргоне при пониженном давлении разброс по толщине и концентрации легирующей примеси в слоях уменьшается приблизительно в два раза и составляет менее 10%. A method and a unit for obtaining silicon epitaxial layers on heavily doped substrates with a sharp concentration transition near the boundary layer-substrate interface are developed. It is shown that at the realization of pyrolysis in argon at reduced pressure a variaty in thickness and dopant concentration in the layers is reduced by approximately half and is less than 10%.
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/903
Appears in Collections:Прикладная радиоэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17.pdf764.91 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.