Публікація:
Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тому

Видавець

ХНУРЕ

Дослідницькі проекти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

The given work is presented perspective directions of modification the silicon structure for obtaining a higher coefficient of transformation in solar cells. A mathematical model is proposed for estimating the effect of the geometry amorphous heterogeneity’s in crystalline silicon on the photoconductivity.

Опис

Ключові слова

Влияние геометрии аморфных неоднородностей, фотопроводимость с-SI

Цитування

Бабыченко О. Ю. Влияние геометрии аморфных неоднородностей на фотопроводимость с-SI / О. Ю. Бабыченко, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 47.

DOI

Схвалення

Рецензія

Доповнено

На які посилаються