Публікація: Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЕ
Анотація
This design explains the principles of modifying the active region of a resonance-tunnel diode by changing the height of potential barriers and the width of a quantum well.
Опис
Ключові слова
резонансно-тунельний діод
Цитування
Яцун К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду / К. С. Яцун, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 33.