Публікація: Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек
Завантаження...
Дата
2017
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЕ
Анотація
This paper proposes a perspective flash memory element which is used as a storage cell array of self-assembled quantum dots as an intermediate layer in the structure of a field effect transistor with modulated doping. Described the physical basis of information storage in the proposed memory cell. A schematic structure of the element and its operation of recording, reading and erasing of information storage studied based on GaAs / AlGaAs MODFET transistor structure. Structure of a layer of quantum dots is grown on the principle of Stranski–Krastanov growth mechanism.
Опис
Ключові слова
Энергонезависимая память, Квантовые точки
Бібліографічний опис
Слабый К. Г. Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 63.