Публікація: Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN
Завантаження...
Дата
2017
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЕ
Анотація
Among the complex semiconductor compounds the first place on the frequency of use in electronic devices occupy a double (binary) semiconductors connections of type of AIIIBV, which form the basis for optoelectronics and high-speed microwave – devices.
Опис
Ключові слова
зонная структура
Бібліографічний опис
Ибадуллин М. М. Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 27.