Публікація: Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЕ
Анотація
Among the complex semiconductor compounds the first place on the frequency of use in electronic devices occupy a double (binary) semiconductors connections of type of AIIIBV, which form the basis for optoelectronics and high-speed microwave – devices.
Опис
Ключові слова
зонная структура
Цитування
Ибадуллин М. М. Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 27.