Публікація:
Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия

Немає доступних мініатюр

Дата

2014

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

ХНУРЭ

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

В работе рассмотрен вопрос о возникновении фотогальванического эффекта (ФГЭ) при примесь-зонном возбуждении электронов. Целью работы является исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки. Рассмотрены явления переноса заряда в электрическом поле и решена задача переноса электрического заряда на основании квантового кинетического уравнения (ККУ) по нечетному интегралу столкновений. Рассмотрены квадратичные поправки к закону Ома. Для возникновения асимметрии при межзонных переходах учитывается взаимодействие с третьим телом. Это уменьшает величину ФГЭ. Однако существует еще одна возможность увеличения ФГЭ – учет взаимодействия между электроном и дыркой.

Опис

Ключові слова

фотогальванический эффект, межзонные центральные переходы, электростатическое взаимодействие

Бібліографічний опис

Чернышов, Н. Н. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии при учете электрон-дырочного взаимодействия / Н. Н. Чернышов // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2014. – Вып. 177. – С. 94 – 97.

DOI

Колекції