Определение спектра поглощения аморфного кремния

Abstract

Приведена эмпирическая модель спектральной зависимости коэффициента поглощения аморфного кремния. Показано влияние степени разупорядоченности аморфной структуры на величину коэффициента поглощения. Результаты могут быть применены при моделировании работы приборов на основе a-Si:Н. An empirical model of the spectral dependence of amorphous silicon absorption coefficient is presented. The effect of the amorphous structure degree of disorder on the absorption coefficient value is demonstrated. The results can be applied for modeling of devices based on a-Si:H.