Публікація: Расчет спектральной зависимости края собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон
Немає доступних мініатюр
Дата
2010
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.
Опис
Ключові слова
оптический спектр, энергетическая зона