Публікація: Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели
Завантаження...
Дата
2015
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоев перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователя
Опис
Ключові слова
вольтамперная характеристика, фотопреобразователь, гетеропереход (p)-a-Si:H/(n)-c-Si
Бібліографічний опис
Галат А. Б. Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели / А. Б. Галат // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2015. – Вып. 180. – С. 19 – 24.