Расчет динамических характеристик и процессов восстановления гармонических сигналов IGBT транзисторов

Abstract

Посвящено разработке методики расчета динамических потерь импульсных преобразователей на IGBT. Выполнено аналитическое описание режимов работы резонансных преобразователей электрической энергии и показано их влияние на потери. Исследованы возможности применения нестандартного подхода к реализации устройства для восстановления гармонических сигналов посредством широтно-импульсной модуляции. Целью статьи является развитие общей теории IGBT и MOSFET транзисторов в направлении физики процессов, происходящих в полупроводниковых приборах и сопряженных элементах. На основании проведенных исследований сделан вывод, что при включении IGBT снижается амплитуда токовых всплесков. Рассмотрена особенность применения снабберов.