Публікація: Инфракрасный приемник на переходах электронов в автолокализованное состояние над гелиевой пленкой на структурированной подложке
Завантаження...
Дата
2017
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Для построения ИК приемника предложено использовать стимулированный излучением пороговый переход из состояния поверхностного электрона (ПЭ) в состояние поверхностного аниона (ПА) над гелиевой пленкой в порах структурированной подложки. Переход зависит от толщины пленки,
электрического поля и плотности паровой фазы. Подвижности электронов при переходе ПЭ/ПА соответствует теоретическому рассмотрению. Электростатическая модель цилиндрической поры в продольном поле демонстрирует преимущественную локализацию электронов над пленкой внутри поры. ИК изображение определится эквипотенциальным рельефом подложки, наведенным контрастом проводимости электронов в порах. Диапазон частот и чувствительность приемника определятся термочувствительностью к излучению стенок пор и рабочей температурой, достигая квантового предела. Конструкция и работа ИК приемника приведены.
Опис
Ключові слова
гелиевая пленка, инфракрасный приемник, структурированная подложка
Бібліографічний опис
Инфракрасный приемник на переходах электронов в автолокализованное состояние над гелиевой пленкой на структурированной подложке / В. А. Николаенко, А. Г. Пащенко, Я. Ю. Бессмольный // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2017. – Вып. 190. – С. 50 – 59.