Публікація:
Спосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тому

Видавець

Дослідницькі проекти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

Cпосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів, згідно з яким формують протокол обстеження пацієнта, досліджують голову пацієнта за допомогою спіральної комп’ютерної томографії, отримуючи зображення аксіальних томографічних зрізів, обробляють дані щодо створення тривимірної моделі поверхні імплантата, який відрізняється тим, що вимірюють геометричні параметри фронтоорбітальної ділянки черепа – висоту hc та площу Sc поверхні дефекту склепіння черепа, площу Sк поверхні дефекту верхньої стінки орбіти, обчислюють коефіцієнт Кп як відношення площі поверхні дефекту склепіння черепа до площі поверхні дефекту верхньої стінки орбіти (Кп = Sc/Sк), оптимальний оперативний доступ визначають за такими критеріями: якщо hc менше ніж 2 мм, то можливим є використання супратарзального доступу до ушкодженої зони, якщо Sк більше ніж 3 см2, то необхідно використовувати методики екстенсивного зниження внутрішньочерепного тиску з дирекцією та вправленням оболонко-мозкової грижі, якщо Кп менше ніж 1, то необхідно проводити лігатурну фіксацію імплантата у 6-ти точках, будують воксельну модель голови пацієнта та здійснюють об’ємне моделювання ходу оперативного втручання щодо дослідження можливостей формування гематом реконструйованого епідурального компартменту, проводять корекцію геометричних параметрів імплантанта та формують вихідні дані для виготовлення імплантанта.

Опис

Цитування

Пат. № 79131, Україна, A61B 5/107. Спосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів / В. В. Семенець, В. В. Сіпітий, О. Г. Аврунін, Ю. О. Бабалян, О. О. Шамраєва ; заявник та патентовласник Харківський національний університет радіоелектроніки; опубл. 25.05.2007.

DOI

Схвалення

Рецензія

Доповнено

На які посилаються