Публікація: Спосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів
Завантаження...
Дата
2007
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Анотація
Cпосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів, згідно з яким формують протокол обстеження пацієнта, досліджують голову пацієнта за допомогою спіральної комп’ютерної томографії, отримуючи зображення аксіальних томографічних зрізів, обробляють дані щодо створення тривимірної моделі поверхні імплантата, який відрізняється тим, що вимірюють геометричні параметри фронтоорбітальної ділянки черепа – висоту hc та площу Sc поверхні дефекту склепіння черепа, площу Sк поверхні дефекту верхньої стінки орбіти, обчислюють коефіцієнт Кп як відношення площі поверхні дефекту склепіння черепа до площі поверхні дефекту верхньої стінки орбіти (Кп = Sc/Sк), оптимальний оперативний доступ визначають за такими критеріями: якщо hc менше ніж 2 мм, то можливим є використання супратарзального доступу до ушкодженої зони, якщо Sк більше ніж 3 см2, то необхідно використовувати методики екстенсивного зниження внутрішньочерепного тиску з дирекцією та вправленням оболонко-мозкової грижі, якщо Кп менше ніж 1, то необхідно проводити лігатурну фіксацію імплантата у 6-ти точках, будують воксельну модель голови пацієнта та здійснюють об’ємне моделювання ходу оперативного втручання щодо дослідження можливостей формування гематом реконструйованого епідурального компартменту, проводять корекцію геометричних параметрів імплантанта та формують вихідні дані для виготовлення імплантанта.
Опис
Ключові слова
нейрохірургія, планування, кісткові дефекти, імплантант
Бібліографічний опис
Пат. № 79131, Україна, A61B 5/107. Спосіб нейрохірургічного планування при проведенні реконструктивних втручань щодо пластики фронтоорбітальних кісткових дефектів / Семенець В.В., Сіпітий В.В., Аврунін О.Г., Бабалян Ю.О., Шамраєва О.О.; заявник та патентовласник Харківський національний університет радіоелектроніки; опубл. 25.05.2007.