Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/213
Title: Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ
Authors: Асанов, Э. Э.
Зуев, С. А.
Килесса, Г. В.
Слипченко, Н. И.
Keywords: полевой транзистор с затвором Шоттки
моделирование методом макрочастиц
параллельные вычисления на базе CUDA
field-effect transistor with Schottky gate
modelling by macroparticles method
parallel calculations on the basis of CUDA
Issue Date: 2012
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ / Э. Э. Асанов, С. А. Зуев и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 431–434.
Abstract: В работе представлены основные теоретические положения, на основе которых построена реализация численной модели ПТШ на GaAs, проведены исследования характеристик ПТШ. Для увеличения производительности модели отдельные этапы вычисления проводились на GPU с использованием технологии NVIDIA CUDA. The basic theoretical provisions on the basis of which the Schottky GaAs FET numerical model has been constructed are presented. The researches of Schottky FET characteristics are carried out. To increase the productivity of the model separate calculation stages have been carried out on GPU with NVIDIA CUDA technology use.
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/213
Appears in Collections:Прикладная радиоэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
23.pdf520.77 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Admin Tools