Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1709
Title: Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2
Authors: Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А.
Герасименко, Н. В.
Антонова, В. А.
Костышин, Я. Я.
Keywords: наноэлектроника
оптоэлектроника
Issue Date: 2012
Publisher: ХНУРЭ
Citation: Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2. / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Н. В. Герасименко и др. // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., 30 сент. – 5 окт. 2012 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2012. – С. 321–324.
Abstract: In this paper we experimentally investigated the technology formation of In2O3/SnO2 thin films. The influence of physical and technological factors on the optical and electrical characteristics were analyzed. Shown the expediency of the application of films In2O3/SnO2 in the high-efficiency solar cells. В различных современных оптоэлектронных приборах в качестве проводящих электродов используются пленки широкозонных вырожденных полупроводников. Такие пленки должны сочетать высокий коэффициент пропускания (Т ≥ 86%) в спектральных условиях, соответствующих солнечному излучению, и минимальное поверхностное сопротивление (Ri <12 Ом / кв)
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1709
Appears in Collections:Международная научная конференция "Функциональная база наноэлектроники" Харьков-Кацивели 2011-2012



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.