Публікація: Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц
Завантаження...
Дата
2012
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Вебер
Анотація
В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.
Опис
Ключові слова
контакт металл-полупроводник, омический контакт, субмикронные полупроводниковые приборы, полевые транзисторы с затвором Шоттки
Бібліографічний опис
Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.