Please use this identifier to cite or link to this item: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1534
Title: Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц
Authors: Асанов, Э. Э.
Килесса, Г. В.
Зуев, С. А.
Слипченко, Н. И.
Keywords: контакт металл-полупроводник
омический контакт
субмикронные полупроводниковые приборы
полевые транзисторы с затвором Шоттки
Issue Date: 2012
Publisher: Вебер
Citation: Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.
Abstract: В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.
URI: http://openarchive.nure.ua/handle/document/1534
Appears in Collections:Международная Крымская конференция " СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" ( КрыМиКо)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
155_156.pdf480.16 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Admin Tools