Оксанич, А. П.Седин, Е. А.2016-06-152016-06-152012Оксанич, А. П. Разработка технологии получения кремниевых эпитаксиальных структур с уменьшенной величиной концентрационной переходной области / А. П. Оксанич, Е. А. Седин // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 100–103.http://openarchive.nure.ua/handle/document/903Разработан метод и установка получения кремниевых эпитаксиальных слоёв на сильно легированных подложках с резким концентрационным переходом вблизи границы слой-подложка. Показано, что при проведении пиролиза в аргоне при пониженном давлении разброс по толщине и концентрации легирующей примеси в слоях уменьшается приблизительно в два раза и составляет менее 10%. A method and a unit for obtaining silicon epitaxial layers on heavily doped substrates with a sharp concentration transition near the boundary layer-substrate interface are developed. It is shown that at the realization of pyrolysis in argon at reduced pressure a variaty in thickness and dopant concentration in the layers is reduced by approximately half and is less than 10%.ruпиролизконцентрация примесидиффузиясиланпониженное давлениеpyrolysisimpurity concentrationdiffusionsilanereduced pressureArticle