Бабыченко, С. В.Бородин, Б. Г.Гордиенко, Ю. Е.2021-06-202021-06-202004Бабыченко С. В. Неразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлия / С. В. Бабыченко, Б. Г. Бородин, Ю. Е. Гордиенко // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 2. – С. 43–47.https://openarchive.nure.ua/handle/document/16606Предлагается метод измерения электропроводности и толщины высокоомных арсенидгаллиевых пластин. Приводится схема измерительной установки и результаты экспериментальных измерений.ruизмерение электропроводностиарсенидгаллиевая пластинаНеразрушающий технологический СВЧ контроль параметров полупроводниковых структур на основе арсенида галлияArticle